• 

  پردازنده مرکزی اینتل مدل Core i5-11400 TRAY

  0 تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل 870 EVO...

  110,000,000 تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  اس اس دی اینترنال ام اس ای M.2...

  14,995,000 تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  اس اس دی اینترنال نتک مدل NETAC SA500...

  6,995,000 تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  اس اس دی اینترنال لکسار M.2 NVME PCIe...

  9,995,000 تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  اس اس دی اینترنال نتک مدل NETAC SA500...

  3,795,000 تومان مشاهده و خرید محصول ×
• 

  اس اس دی اینترنال لکسار M.2 NVME PCIe...

  14,995,000 تومان مشاهده و خرید محصول ×

موجود

• 1 در انبار
• 1 در انبار
• 1 در انبار
• 1 در انبار
• 1 در انبار
• 1 در انبار

سازنده

• Intel

• SAMSUNG

نوع حافظه

• DDR4

لیتوگرافی

• 14 نانومتر

تعداد هسته (Core)

• شش هسته

فرکانس مرجع

• 4.40 گیگاهرتز

توان مصرفی

• 65 وات

ریز معماری

• Rocket Lake

سوکت

• Intel LGA ۱۲۰۰

نوع پردازنده

• ۶۴ بیتی

نوع

• اینترنال

• اینترنال

• اینترنال

• اینترنال

• اینترنال

• اینترنال

ظرفیت

• 4 ترابایت

• 1 ترابایت

• 512 گیگابایت

• 500 گیگابایت

• 128 گیگابایت

• 1 ترابایت

فرم فاکتور

• 2.5 اینچ

• M.2 2280

• 2.5 اینچ

• M.2 2280

• 2.5 اینچ

• M.2 2280

نوع رابط

• SATA 6Gb/s (SATA III)

• PCI-E Gen4 x4

• SATA 6Gb/s (SATA III)

• SATA 6Gb/s (SATA III)

وزن

• 50 گرم

• ۴۷ گرم

• ۴۷ گرم

سرعت خواندن ترتیبی

• 560 مگابایت بر ثانیه

• 3600 مگابایت بر ثانیه

• 500 مگابایت بر ثانیه

• 3300 مگابایت بر ثانیه

• 500 مگابایت بر ثانیه

• 3300 مگابایت بر ثانیه

سرعت نوشتن ترتیبی

• 530 مگابایت بر ثانیه

• 3000 مگابایت بر ثانیه

• 400 مگابایت بر ثانیه

• حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه

• 400 مگابایت بر ثانیه

• حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه

ابعاد

• 100×69.85×6.8 میلی‌متر

نوع فلش

• V-NAND 3bit MLC

کنترلر

• Samsung MKX

درگاه اتصال

• SATA 3.0

حافظه Cache

• 512 مگابایت

نوع حافظه Cache

• DDR4

سرعت خواندن تصادفی 4K

• 98,000 IOPS

سرعت نوشتن تصادفی 4K

• 88,000 IOPS

حداکثر میزان مقاومت

• 1500G

میانگین عمر

• 1500000 ساعت یا 600 ترابایت

توضیحات اتصال

• PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4

نوع حافظه فلش

• 3D NAND

سایر ویژگی ها

• پشتیبانی از S.M.A.R.T
  پشتیبانی از TRIM

نوع فلش

• 3D NAND

• 3D NAND

ابعاد

• 100×69.85×7 میلی متر

• 100×69.85×7 میلی متر

دمای عملکرد

• 0 تا 70 درجه سانتی گراد

• 0 تا 70 درجه سانتی گراد

طول عمر

• 1.500.000 ساعت

• 1.5 میلیون ساعت

• 1.500.000 ساعت

• 1.5 میلیون ساعت

سایر ویژگی‌ها

• مقاوم در برابر ضربه و شوک

• مقاوم در برابر ضربه و شوک