Intel
SAMSUNG
DDR4
14 نانومتر
شش هسته
4.40 گیگاهرتز
65 وات
Rocket Lake
Intel LGA ۱۲۰۰
۶۴ بیتی
اینترنال
اینترنال
اینترنال
اینترنال
اینترنال
اینترنال
4 ترابایت
1 ترابایت
512 گیگابایت
500 گیگابایت
128 گیگابایت
256 گیگابایت
2.5 اینچ
M.2 2280
2.5 اینچ
M.2 2280
2.5 اینچ
2.5 اینچ
SATA 6Gb/s (SATA III)
PCI-E Gen4 x4
SATA 6Gb/s (SATA III)
SATA 6Gb/s (SATA III)
SATA 6Gb/s (SATA III)
50 گرم
۴۷ گرم
۴۷ گرم
۴۷ گرم
560 مگابایت بر ثانیه
3600 مگابایت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
3300 مگابایت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
530 مگابایت بر ثانیه
3000 مگابایت بر ثانیه
400 مگابایت بر ثانیه
حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه
400 مگابایت بر ثانیه
400 مگابایت بر ثانیه
100×69.85×6.8 میلیمتر
V-NAND 3bit MLC
Samsung MKX
SATA 3.0
512 مگابایت
DDR4
98,000 IOPS
88,000 IOPS
1500G
1500000 ساعت یا 600 ترابایت
PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
3D NAND
پشتیبانی از S.M.A.R.T
پشتیبانی از TRIM
3D NAND
3D NAND
3D NAND
100×69.85×7 میلی متر
100×69.85×7 میلی متر
100×69.85×7 میلی متر
0 تا 70 درجه سانتی گراد
0 تا 70 درجه سانتی گراد
0 تا 70 درجه سانتی گراد
1.500.000 ساعت
1.5 میلیون ساعت
1.500.000 ساعت
1.500.000 ساعت
مقاوم در برابر ضربه و شوک