Intel
SAMSUNG
DDR4
14 نانومتر
شش هسته
4.40 گیگاهرتز
65 وات
Rocket Lake
Intel LGA ۱۲۰۰
۶۴ بیتی
اینترنال
اینترنال
اینترنال
اینترنال
4 ترابایت
1 ترابایت
512 گیگابایت
1 ترابایت
2.5 اینچ
M.2 2280
2.5 اینچ
M.2 2280
SATA 6Gb/s (SATA III)
SATA 6Gb/s (SATA III)
PCI-E Gen4 x4
50 گرم
۴۷ گرم
560 مگابایت بر ثانیه
3300 مگابایت بر ثانیه
500 مگابایت بر ثانیه
3600 مگابایت بر ثانیه
530 مگابایت بر ثانیه
حداکثر تا 2600 مگابایت بر ثانیه
400 مگابایت بر ثانیه
3000 مگابایت بر ثانیه
100×69.85×6.8 میلیمتر
V-NAND 3bit MLC
Samsung MKX
SATA 3.0
512 مگابایت
DDR4
98,000 IOPS
88,000 IOPS
1500G
1.5 میلیون ساعت
1.500.000 ساعت
مقاوم در برابر ضربه و شوک
3D NAND
100×69.85×7 میلی متر
0 تا 70 درجه سانتی گراد
1500000 ساعت یا 600 ترابایت
PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
3D NAND
پشتیبانی از S.M.A.R.T
پشتیبانی از TRIM